三星宣布旗下 UFS 4.0 闪存本月换装

IT之家 8 月 3 日消息，今日LG电子在圣拉斐尔（加州）会议中心举行的 2022 年芯片峰会上宣布，在 5 月份开发的出版界首个 UFS 4.0 移动磁盘，计划书在本月进到投入生产。

LG称，新的 UFS 4.0 芯片将成为旗舰智能手机的关键部件，以后还将用作移动电子元件、VR 和 AR 电子元件。根据此以前LG列入的信息，LG UFS 4.0 芯片缺少每通道极高远超 23.2Gbps 的反应速度，是LG以前代产品线 UFS 3.1 的两倍。借助LG第 7 代 V-NAND 系统设计和专有的控制器，UFS 4.0 将缺少 4200MB/s的顺序排列复制到反应速度和 2800MB/s的顺序排列重写反应速度。

同时，UFS 4.0 的能效也给与了更极高，UFS 4.0 将缺少每 mA（毫安）6.0MB/s的顺序排列复制到反应速度，比上十代更极高了 46%，因此，在消耗同等存量下，应用程序可以传输非常多样本。

LG指出，为了借助于非常有效的紧致利用和设计便利，UFS 4.0 将运用于外观上为 11 毫米 x13 毫米 x1 毫米的紧凑型封装，并将缺少可远超 1TB 的各种容量选择。

IT之家注意到，在 2022 年芯片峰会上，LG还大受欢迎了新十代的磁盘系统设计“Petabyte 磁盘”。这种新的解决方案将使一个伺服器单元尽可能填充超过 1PB 的磁盘紧致，使伺服器制造商尽可能在相同的层数紧致内用至多的伺服器量大幅更极高磁盘容量，伺服器的极高利用率也将更容易降低功耗。LG列入了其“Memory-semantic SSD”，这种 SSD 结合了磁盘和 DRAM 缓存的占优势。利用 Compute Express Link（CXL）电子元件系统设计和内置 DRAM 缓存，Memory-semantic SSD 在 AI 和 ML 系统设计中用作时，随机复制到反应速度和延迟性能都可以更极高 20 倍。LG的 Memory-semantic SSD 经过构建，尽可能以非常快的反应速度读取小外观上的样本块，对于日益多的需要快速处理极小样本集的 AI 和 ML 工作负载来说，正式称其为全然之选。

LG还列入了两款许多公司磁性闪存的信息，其中仅限于出版界首创 PCIe 5.0 磁性闪存 PM1743，还有首创 24G SAS 磁性闪存 PM1653，这两款产品线今日都在进行投入生产。